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06-17
根据TrendForce研究，2022年DRAM供应位元增长率约为18.6%。
不过，由于目前买家库存水平偏高，加上年度位元需求增长率仅为17.1%，明年DRAM产业将由供不应求转向供过于求。
虽然DRAM价格会因供过于求而下滑，但在寡头垄断的市场下，整体产值不会大幅下降。
预计DRAM总产值将达到4亿美元，年增长率为0.3%。
TrendForce以明年各季度的供过于求率（以下简称：充足率）作为预测依据。
预计DRAM平均销售单价每年将下降15%，上半年价格下降更为明显；下半年起将受益于DDR5。
在渗透率提升和旺季需求效应的推动下，均价跌幅将收敛，不排除价格持平或上涨的可能性。
高端数码产品竞争者众多，明年NAND Flash产值将再增7.4%。
NAND Flash方面，供给位年增长率约为31.8%；而需求位的年增长率为30.8%，因此明年NAND Flash的价格也会受到供过于求的影响。
下降。
另外，由于NAND Flash是一个充分竞争的市场，因此平均价格的下降比DRAM更为明显。
不过，NAND Flash在层结构堆栈上继续前进。
因此，在供给位元增速保持在30%以上的同时，预计2020年NAND Flash将继续下滑，总产值仍有增长空间，达到9000万美元，年增7.4%。
同样根据明年各季度的充足率，预计全年平均销售单价同比下降18.0%。
上半年价格下降也将更加明显。
下半年起，受益于旺季需求效应，均价有所下降。
较为收敛，存在单季度价格持平的可能性。
总体来看，历年DRAM和NAND Flash的总产值发生了变化。
由于两者竞争格局不同，DRAM产能扩张基本上比较规律，因此长期均价波动较小。
同时，20nm以下的工艺微缩已逐渐达到物理极限，每年的比特增长有限；而NAND Flash的产能扩张计划相对不稳定，且产品层数能够持续增加，长期均价波动较大，这反过来又代表了DRAM产值增速不及NAND Flash ，但从利润表现来看却恰恰相反。
资本支出继续上升。
如果产值跟不上增长，可能会抑制制造商的盈利能力。
从资本支出来看，就DRAM而言，其整体资本支出占营收的比例（以下简称：CAPEXtosales比率）近年来逐渐上升。
原因有两个，首先是因为DRAM工艺微缩已经逐渐面临物理极限。
20nm工艺之后，除了美光的1αnm仍然产生近30%的单晶圆位生长外，其他都从1Xnm切换到1Ynm，或者从1Ynm切换到1Znm工艺后，生长都收敛到了15%以下。
2019年，三星和SK海力士最先进的工艺将正式引入EUV这一关键机种。
但该机的生产周期长、成本高，导致三大原厂提前分配大量资本支出。
，应对EUV提前订单。
其次，由于DRAM已经形成了寡头垄断市场，即使偶尔出现平均价格下降的周期，但由于供应商的生产订单，平均销售价格也很难跌破总生产成本（满载成本）。
因此，DRAM原厂可以逐渐从这个市场积累资源。
产品的生产是有利可图的。
由于工艺转移困难，除了三大原厂外，市场占有率较小的南亚科技、华邦等厂商也有实际扩产计划，成为资本支出持续增加的另一重要原因。
DRAM市场的销售比例。
NAND Flash方面，自2018年改用3D NAND技术以来，其CAPEXtosales比率大幅提升，之前平均为25~30%，如今已提升至平均近40%。
主要原因是，随着3D堆叠层数的增加，除了产品生产所需的时间加长外，对刻蚀难度和精度的要求也随之提高。
主流层数正在向1YY层数迈进，供应商也开始开发2XX层。
产品技术，对单次刻蚀深度的要求不断提高，表明行业所需的总资本支出随着层数的增加和产值的增加而持续增长。
TrendForce表示，由于NAND Flash堆栈层数的技术进步，供应商未来将继续追求更高的层数，以降低每GB的生产成本。
因此，预计行业资本支出仍有增长空间，CAPEXtosalesratio将维持在接近40%或以上。
值得注意的是，如果未来几年产出跟不上支出的增长速度，可能会导致资本支出与销售比率过度上升，从而抑制供应商的盈利能力。
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