国家中小企业发展基金河南子基金正式揭牌
06-18
世界知名半导体制造商（总部位于日本京都）ROHM开发出超高速栅极驱动器IC驱动GaN器件-LB的驱动IC“BDNVX”。
近年来，由于服务器系统等领域对物联网设备的需求不断增长，提高电源部分的电力转换效率和设备小型化已成为人们关注的焦点。
成为重要的社会问题，需要功率器件不断优化。
此外，不仅在自动驾驶领域广泛应用的LiDAR*1，在工业设备、社会基础设施监控等领域也要求高。
在此类应用中，必须使用高速开关器件，因此ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还开发了超高速器件。
驱动栅极驱动器 IC，可最大限度地发挥 GaN 器件的性能。
。
不仅如此，ROHM还会不定期推出更小的WLCSP*2产品，以帮助缩小应用产品的尺寸。
新产品实现了纳秒（ns）量级的栅极驱动速度，使GaN器件能够实现高速开关。
这一特性的实现，与ROHM对GaN器件的深入研究以及对栅极驱动IC性能的追求密不可分。
通过最小栅极输入脉冲宽度为1.25纳秒的高速开关，帮助应用产品实现小型化、进一步节能和更高性能。
此外，新产品采用了ROHM自己的驱动方式，并配备了栅极输入波形过冲*3（长期存在的问题）抑制功能，可以防止因过压输入而导致的GaN器件故障；通过集成 ROHM EcoGaN？还可以简化配套产品的设计，有助于提高应用产品的可靠性。
不仅如此，针对不同的应用需求，还可以通过调整栅极电阻来选择理想的GaN器件。
新产品已于今年9月开始量产（样品价格为日元/个，不含税）。
罗姆推出了一系列有助于节能和小型化的GaN器件——“EcoGaN？”系列产品。
未来，罗姆将提供栅极驱动器IC，通过将这些GaN器件与电源解决方案相结合，最大限度地提高其性能，为实现可持续发展社会做出贡献。
台湾中央大学电机工程学系辛玉明教授 GaN器件有望成为在高频范围内性能优于硅器件的产品。
在功率开关应用中，特别是在DC-DC和AC-DC转换器中，GaN器件的高频特性可以提高功率密度，从而有助于实现更小、更节能的电路。
为了最大限度地发挥GaN器件的性能，不仅需要考虑GaN HEMT*4的低驱动电压，还离不开能够实现高速开关的栅极驱动IC。
ROHM致力于通过先进的驱动器驱动技术最大限度地提高GaN器件的性能，这引起了我们的注意。
我与刘雨辰教授（国立台北科技大学）和夏勤教授（长庚纪念大学）合作测试了ROHM的栅极驱动器IC“BDNVX”。
测试结果证实，与其他驱动器 IC 相比，BDNVX 在降压和升压转换器的 1MHz 开关频率下具有更短的上升时间和更低的开关噪声。
缩短驱动IC的上升时间有助于最大限度地发挥GaN在降低开关损耗方面的优势。
此外，我们对ROHM GaN解决方案也抱有非常高的期望，该解决方案在电源和驱动器等模拟技术方面具有显着优势。
＜LiDAR应用图＞ ＜产品阵容＞ ＜应用示例＞ ？LiDAR（工业设备、基础设施监控应用等）驱动电路 ？数据中心、基站48V输入降压转换器电路如 ？便携式设备的无线供电电路 ？ D类音频放大器等 ＜参考设计信息＞ ROHM官网提供新产品，ROHM V GaN“EcoGaN？”用于激光雷达的高输出功率激光二极管参考设计。
参考设计有助于减少应用产品开发工时。
参考设计产品模型：REFLD1（矩形波电路） REFLD2（谐振电路） ＜什么是EcoGaN？＞ EcoGaN？有助于最大限度地发挥GaN的性能 ROHM的GaN器件用于进一步节能和小型化应用产品。
该系列产品帮助应用产品进一步降低功耗，实现外围元件小型化，减少设计工时和元件数量等。
？EcoGaN？是罗姆株式会社的商标或注册商标。
＜辛玉明教授简介＞ 出生于台湾台南。
中央大学理学士、交通大学硕士、加州大学圣地亚哥分校电机工程博士。
现任台湾国立中央大学（NCU）电机工程系教授，Applied Chemistry Express（APEX）和 Japanese Journal of Applied Chemistry（JJAP）海外编辑。
研究对象是基于异质结和宽带隙半导体的元件和电路的开发。
·简历 加入位于新泽西州沃伦县的 Anadigics Corporation（现为 Coherent Corp.）。
开发用于无线和光纤通信的 GaAs MESFET 和 pHEMT。
年，进入中央大学电机系任教。
年~年伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校访问研究员。
年~年加州大学洛杉矶分校（UCLA）客座教授。
～年任中央大学光学研究中心主任。
？遥感的一种形式（使用传感器从远处进行感测），其中传感器捕获其反射光来测量距离。
*2) WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装） 在整个晶圆上形成引脚并进行布线等，然后切割成单个成品芯片的超小型封装形式。
与将晶片切割成单独的片然后进行树脂模制以形成引线等的普通封装形式不同，这种封装可以与内部半导体芯片的尺寸相同，因此可以减小封装的尺寸。
*3) 过冲 开关接通/断开时电压瞬间超过规定值的现象。
*4) GaN HEMT GaN（氮化镓）是用于下一代功率元件的化合物半导体材料。
与普通半导体材料——Si（硅）相比，它具有更好的物理性能。
目前，由于其优异的高频特性，越来越多的应用开始使用这种材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor的英文缩写。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件 举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。
标签：
相关文章
06-18
06-18
06-17
06-18
06-17
06-18
06-21
最新文章
使用电子管有哪些注意事项？如何检查电子管之间是否短路？
博通支付1200万美元和解SEC财务欺诈指控
八名运营商高管确认加入虚拟运营商
内蒙古农牧区雷电灾害成因分析及防雷对策
北京联通将5G应用于世园会远程医疗急救
TD-SCDMA最后一轮冲刺测试启动，产业前景更加光明
专访阿里云总裁王健：云计算服务平台梦想成真
USB2.0控制器CY7C68013的接口设计与实现